通过原位结晶，最新我们成功实现了可控的晶体/非晶复合结构，并相应实现了平缓的能带结构和提高的有效质量和载流子迁移率。

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进一步通过掺杂后PL强度的猝灭以及理论计算，电网代理我们发现吸收的拓宽是由于Cu的掺杂引入了新的缺陷态导致的，而非带隙的降低。以明星材料Cs2AgBiBr6为例，价格价表经过掺杂/合金化后晶体的吸收明显拓宽，但仅仅通过吸收拓宽这一现象是否真的就代表带隙降低？答案是否定的。附电第一作者为林雪平大学博士生季付翔。

最新通讯作者为林雪平大学高峰教授。可以看出吸收边由约610nm拓宽到了约860nm，全国企业也暗示了材料的带隙可能降低。

各地购电公布b）铜掺杂的Cs2AgBiBr6钙钛矿中光激发过程的示意图。

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